高分子物理里面的Tb Tm Tg Tf的含义

Tg：玻璃化温度； Tc：结晶温度； Tm：熔点； Td：分解温度。

Tb是脆化温度，是玻璃态时能发生强du迫高弹形变的最低温度；Tm是结晶聚合物的熔点，即结晶聚合物熔融的温度；Tg是玻璃化温度，是玻璃态向高弹态开始转变的温度；Tf是粘流温度，是指非结晶聚合物从高弹态向粘流态转变的开始温度。

扩展资料：

熔点是固体将其物态由固态转变（熔化）为液态的温度，缩写为mp。而DNA分子的熔点一般可用Tm表示。进行相反动作（即由液态转为固态）的温度，称之为凝固点。与沸点不同的是，熔点受压力的影响很小。而大多数情况下一个物体的熔点就等于凝固点。

在有机化学领域中，对于纯粹的有机化合物，一般都有固定熔点。即在一定压力下，固-液两相之间的变化都是非常敏锐的，初熔至全熔的温度不超过05~1℃（熔点范围或称熔距、熔程）。

参考资料来源：百度百科-熔点

所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成。

TG的左边是输入端，右边是输出端。上边是控制信号C'输入端，下边是控制信号C输入端。

当C'=0、C=1时，TG导通，输出端的信号等于输入端信号。

传输门，当g为1时，将输入端的模拟信号整体传输之输出端，无损耗，g为0时门关闭。

TP和TN是结构对称的器件，它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V 。

为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏 ，故TP的衬底接+5V电压，而TN的衬底接-5V电压 。

扩展资料：

MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。

在数字逻辑电路设计中，传输门左端为输入，右端为输出，上端C反、下端C为控制端，当C反为0，C为1时TG门开通，此时右端输出out=左端输入in。

用一对极性相反的三极管也能构成传输门。

若P=0，N=1：

当A作为输入端且为高电平时，信号从上面的三极管传输到B端输出（P端三极管导通）；若A为低电平，则通过下面的三极管送到B端（N端三极管导通）。

当B作为输入端且为高电平时，信号从下面的三极管送到A端输出（N端三极管导通）；若为低电平，则从上面的三极管传输到A端（P端三极管导通）。

若P=1，N=0，则两个三极管都截止，此时A、B之间相当于断开的开关。

因为是P=0，N=1时打开传输门，所以画出的电路符号上是P上有小圆圈，N上没有。

参考资料来源：百度百科-传输门

TG(Thermal Gravity Analysis)，是热力学的一个名词，称为热重分析。这种曲线是代表着物质随温度的变化的失重量，单位是mg，而DTG是单位时间内物质的失重速率，单位是mg/min

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tg应该就是tan，正切函数，tg是旧教材上的表示法，现在一般规范写成tan。

正切定理： (a + b) / (a - b) = tan((α+β)/2) / tan((α-β)/2)

tanA·tanB·tan(A+B)+tanA+tanB-tan(A+B)=0

高等代数中三角函数的指数表示(由泰勒级数易得)：

sinx=[e^(ix)-e^(-ix)]/(2i)

cosx=[e^(ix)+e^(-ix)]/2

tanx=[e^(ix)-e^(-ix)]/[ie^(ix)+ie^(-ix)]

tanA·tanB=1

扩展资料：

在Rt△ABC中，如果锐角A确定，那么角A的对边与邻边的比值随之确定，这个比叫做角A的正切，记作tanA。即：tanA=∠A的对边/∠A的邻边。

两角和与差的三角函数：

cos(α+β)=cosα·cosβ-sinα·sinβ

cos(α-β)=cosα·cosβ+sinα·sinβ

sin(α±β)=sinα·cosβ±cosα·sinβ

tan(α+β)=(tanα+tanβ)/(1-tanα·tanβ)

tan(α-β)=(tanα-tanβ)/(1+tanα·tanβ)

参考资料来源：百度百科-正切函数

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