国产芯片的差距

中国保镖2022-07-09  9

有许多大山压在我们身上。从悲观的角度来看,我们可以看到美国的设备,TSMC的制造,美国的芯片架构,日本的材料,美国的EDA,ASML的光刻机。这就是现在的情况。

这个芯片比较宽,包含很多方面。从工艺上看,主要有三个环节:设计、制造、封装、测试。此外,还有设备、材料、软件等上下游产业链。

从设计、制造、封装、测试三个环节,完全落后。

设计方面。我们没有自己的国内架构,都是依靠国外,主要是美国。X86架构是Intel,ARM架构是英国的,MIPS龙芯架构是美国的,神威的alpha是美国的,开源的RISC-V是美国的。在中国,芯片都是在这些现成的架构上设计的,你可以自己去想区别。

制造业,SMIC 14nm,TSMC 5nm,相差2代,大概3-5年。

因为没有技术门槛,附加值低,所以封测技术并不落后,世界一流水平。

从上下游来看,软件、材料、设备都是落后的。

另外,除了这些工艺,最上游的EDA软件,芯片设计的必备工具,国外巨头占国内份额的95%,国内EDA无法替代。

就半导体设备而言,美国厂商占50%。排名前10的半导体设备中,中国无一上榜,均为国外厂商。最重要的是光刻机,中国90nm,ASML 5nm,相差10年以上。

9种9纯度硅等用于芯片制造的材料在日本垄断了70%,其他14种关键半导体材料在日本的份额超过50%。

所以中国芯片的现状是相当落后的,而且是完全落后。没有长板,都是短板。

当然,我说这些不是为了增加别人的野心,破坏自己人的威信。我只是陈述事实,认清自己的现状,这样才能更好的努力。

也是因为落后,中国芯被打了。所以这几年中国芯一直在高速发展。我相信中国芯赶上来,全产业链全面开花,只是时间问题。

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