6月15日，《日经亚洲评论》报道称，日本将与美国合作，最早于2025年在日本建设2nm芯片制造基地，从而加入下一代芯片技术的商业化竞争。报道提到，日美两国政府将根据双边芯片技术伙伴关系提供支援，两国民间企业将进行设计和量产方面的研究。
《日经亚洲评论》报道截图
目前，TSMC在先进芯片制造工艺方面处于全球领先地位，并计划在2025年量产2nm工艺。但是，该公司通常不会将最先进的工厂建在台湾岛以外。近两年，TSMC相继宣布在美国和日本建设芯片工厂，其中美国工厂计划在2024年量产5nm芯片，日本工厂计划在2024年量产10 nm至20 nm芯片。
根据日本的报道，日本希望通过在当地生产新一代半导体来确保稳定的供应。为实现这一目标，日美企业有望共同成立一家新公司，或者日本企业可以成立一个新的制造中心。日本经济产业省将补贴一些RD费用和资本支出。日美最早将于今年夏天开始共同研究，并在2025年至2027年间建立研究和量产中心。
更先进的芯片工艺有助于设备小型化，提高性能。日媒称，2nm芯片将用于量子计算机、数据中心、高端智能手机等产品。这些芯片还可以降低功耗和碳排放。而且芯片尺寸也会影响战斗机、导弹等军事装备的性能。从这个角度来说，2nm芯片直接关系到国家安全。
台积电技术路线图
今年5月初，日美达成一项基本原则，即包括日美在内的“志同道合”国家将共同推进区域半导体供应链建设。日美将在即将召开的“2+2”内阁经济官员会议上讨论合作细节。上周，日本内阁批准了首相岸田文雄的“新资本主义”议程，概述了在10年内通过与美国的双边公私合作建立芯片设计和制造基地的计划。
除了TSMC，三星和英特尔也在制造2纳米芯片。其中，三星芯片代工业务的高管在去年10月透露，该公司有望在2025年下半年使用其2纳米制造工艺量产芯片。英特尔今年4月透露，预计下一代英特尔18A工艺(相当于1.8nm)将提前于2024年下半年投产。
据日本-亚洲报道，日本国家研究机构国家高级工业科学技术研究所正在开发先进半导体生产线的制造技术，包括2纳米工艺中使用的技术。东京电子和佳能等芯片制造设备制造商，以及IBM、英特尔和TSMC都加入了进来。
“日本有信越化学、Sumco等强大的芯片材料厂商，美国有芯片制造设备巨头应用材料。芯片厂商与主要供应商的合作旨在实现2nm芯片的量产技术。”报道称。
日本的预期很好，但客观来说，现在谈2nm工艺可能还为时过早。毕竟，TSMC和三星的3nm还没有实现量产。
按照计划，三星已经宣布将在2022年上半年抢先TSMC量产3nm工艺，而TSMC此前透露3nm量产时间为2022年下半年。然而最近，行业分析师郭明在推特上透露，TSMC的3nm和4nm修改版要到2023年才能量产，这将导致今年的新iPhone只能使用5nm修改版和4nm工艺。
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