Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以

ic指IC芯片。IC芯片(Integrated Circuit Chip)是将大量的微电子元器件（晶体管、电阻、电容等）形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。IC芯片包含晶圆芯片和封装芯片，相应 IC 芯片生产线由晶圆生产线和封装生

PMOS,NMOS,CMOS,BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面1、导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs

硅脂用于卫浴器材、密封圈、电子电气行业的防水密封及润滑。应用范围：1、适用于电子工业的功率放大管和散热片之间接触面:如电视机、DVD、 CPU和功放管,起热传媒作用。2、适用于微波通讯、微波传输设备和专用电源、稳压电源等微波器件的表面

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semicon

钳位电路钳位电路钳位电路的作用是将周期性变化的波形的顶部或底部保持在某一确定的直流电平上。图上部为常见的二极管钳位电路(图在哪里？)。二极管的钳位作用是指利用二极管正向导通压降相对稳定，且数值较小(有时可近似为零)的特点，来限制电路中某

摩尔定理如下：摩尔定理是英特尔创始人之一戈登摩尔的经验之谈。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了

望采纳~~ P2即INTER公司生产的奔腾2系列CPU，一般是插卡式的。同时也指Pentium II 即英特尔 奔腾 II 处理器，是Inter确立业界优势的经典之作。1997年5月，INTEL又推出了和奔腾 Pro同一个级别的产品，也就是

bjt对应的中文是北京时间（BeiJing Time）的缩写。北京时间是中国采用国际时区东八时区的区时作为标准时间，中国官方所用时间。北京时间是指中国国家标准时间，北京时间并不是北京（东经116.4°）的地方时间，而是采用国际时区东八时区

芯片是怎么制作出来的如下：一、芯片设计。芯片属于体积小，但高精密度极大的产品。想要制作芯片，设计是第一环节。设计需要借助EDA工具和一些IP核，最终制成加工所需要的芯片设计蓝图。二、沙硅分离。所有的半导体工艺都是从一粒沙子开始的。因为沙子中

1代i7的CPU基于Nehalem架构，共有两大类别，13种型号x0dx0a一、“Lynnfield”（45nm）x0dx0aCPU支持：MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, SSE4.2, EI

省去输出端大电容的功率放大电路通常称为OCL电路。OCL其中，OCL是Output CapacitorLess 的缩写。OCL是OTL电路的升级，优点是省去了输出电容，使系统的低频响应更加平滑。缺点是必须用双电源供电，增加了电源的复杂性。望

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。NPN和PN

“TTL”有两个方面的意思：一、 晶体管晶体管逻辑电路“TTL”的全称为“Transistor-Transistor Logic”，意思是晶体管晶体管逻辑电路。TTL是电流控制的器件，常用于电路中，速度快但是功耗大。二、生存时间值“

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需

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液晶显示屏由两块玻璃板构成，厚约1毫米，中间是厚约5微米(11000毫米)的水晶液滴，被均匀间隔隔开，包含在细小的单元格结构中，每三个单元格构成屏幕上的一个像素。在放大镜下呈现方格状，一个像素即为一个光点。每个光点都有独立的晶体管来控制其

ic指的是：集成电路。（英语：integrated circuit，缩写作 IC），在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）集中制造在半导体晶圆表面上的小型化方式。晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管

一共有四个发展阶段：第一个发展阶段是电子管计算机的时代，在1946年到1956年。1946年第一台电子计算机问世美国宾西法尼亚大 学，它由冯·诺依曼设计的.占地170平方 ，150KW.运算速度慢还没有人快，是计算机发展历史上的一个里程

栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(dra