报道称，上海微电子将于2021年交付采用28nm ARF光源工艺技术的光刻机，并在光刻机中反复曝光后，可制造11 nm工艺的芯片。目前来看，消息应该是真的。也就是说，2021年，中国将拥有自己的生产28 nm工艺芯片的光刻机。虽然比不上ASML的EUV光刻机，但足以推动中国工业芯片和军用芯片的性能。
从光源来看，光刻机已经发展了五代。第一代是使用波长为436纳米的g线光源的掩模版光刻机，其制造工艺节点为800纳米至250纳米；第二代光刻机采用波长为365 nm的I线光源，其工艺节点也是800n m-250nm；第三代光刻机采用波长为248 nm的KRF光源，其工艺节点为180nm-130nm；第四代，即波长为139 nm的Arf光源掩模版，其制造工艺节点为130 nm -65 nm和45 nm -22 nm。第五代EUV光刻机，是波长13.5 nm的EUV光源，工艺节点22 nm -7 nm。
第四代光刻机将于2021年由上海微电子交付，工艺节点为28纳米。其实在2007年，上海微电子就做出了90纳米工艺节点的掩模版光刻机，到现在已经13年了。经过14年的发展，再次拿出第四代光刻机很正常。虽然我国目前还不能生产二氧化碳EUV光源，但在固体深紫外光源的研发方面处于国际领先地位，最明显的例子就是KBBF晶体。
另外，《光刻机》中比较重要的镜头也可以国产。2016年，长春光机所研制出波像差优于0.75 nm RMS的双镜EUV光刻物镜系统。2014年清华大学还开发了掩膜台/硅片台的同步扫描指标，实际达到了2.2nm和4.7nm，所以掩膜版光刻机中最重要的掩膜台、工作台、透镜组、光源都可以由国内单位制造，所以毫无疑问上海微电子已经开发出了28 nm工艺技术的掩膜版光刻机。只是明年交割后，芯片的良率不会一下子上去，但需要一段时间才能提高。
此外，上海微电子即将交付的光刻机经过多次曝光后可以提高到11 nm。这样，对于那些不急需芯片，但需要工艺技术的公司来说，也是一个好消息。毕竟国内有了这种光刻机，就不需要被国外制裁了。至于EUV光源，中国仍需加大研发力度，争取早日突破。只要光源突破，就不会剩下什么大问题了。
因此，上海微电子交付28 nm工艺技术的光刻机意义重大。
