GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)是一种由门极控制开通和关断的功率半导体器件，容量仅次于普通晶闸管。其应用的关键技术之一是其栅极驱动电路的设计。
门极驱动电路设计不良往往会导致GTO晶闸管损坏，门极关断技术要特别注意。门极可关断晶闸管GTO具有更大的电压和电流容量，与普通晶闸管接近，因此在兆瓦级以上的大功率场合仍有广泛应用。
GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流前沿要有足够的幅度和陡度，一般需要在整个导通期间施加主栅极电流，关断期间施加负栅极电流，这就要求幅度和陡度更高。其驱动电路通常包括三个部分:开启驱动电路、关闭驱动电路和栅极反向偏置电路。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)，绝缘栅双极晶体管，具有以下特点:驱动电路输出电阻小，IGBT为电压驱动器件，IGBT由专用混合集成驱动器驱动；GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流具有陡峭的前沿和一定的过冲，可以加快开通过程，降低开通损耗；关断时，驱动电路可以提供足够幅度的反向基极驱动电流，加上反向偏置截止电压，加快关断速度；MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，金属氧化物半导体场效应晶体管驱动电路的特点:要求驱动电路体积小，驱动功率低，电路简单。
