首先要明白三极管放大的是电流，就是把基极电流放大β倍成为集电极电流。看一下交流等效电路就知道了，信号源电流首先分流为基极交流电流，基极交流电流放大β倍成为集电极交流电流，集电极交流电流经rc、rl分流为负载电流。
所以说三极管放大电路放大的是电流，大电流注入负载电阻，形成大电压。
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。
同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
扩展资料：
三极管工作状态：
截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
参考资料:百度百科------三极管
R1=24K,R2=15K,R3=1K,Rl=2K
三极管的特性表是决定它静态电压(Vce)对电流(Ic)的关系而静态电流放大系数则是三极管放大器必需的设计参数
若看基极的偏压,VA=12Vx[15/(15+24)]=07V
三极管正向偏压最少要06V才导通,令集电极电流(=基极电流x电流放大系数)流通,假设电流放大系数是50,Vbe=06V,则三极管发射极电流(约等於集电极电流)=(07-06)V/1K=01mA
故此基极电流Ib=Ic/电流放大系数=01/50=0002mA
开路电压UA=[R2/(R1+R2)]Ucc-Ube=[82/(20+82)]x12V-07V=3489V-07V=2789V。
R1//R2=82//20k=58156k
Ib=UA/(R1//R2+βR3)
假设晶体管β=100，则
基极电流Ib=2789V/(58156k+100X1k)=2789V/1058156k=00264mA
集电极电流Ic=βIb=100X00264mA=264mA
集电极电压Uc=Ucc-RLIc=12-2kX264mA=672V
若晶体管β不是100，你可将β值代到上边再计算Ib、Ic和Uc
答：
（1）选A。因为Vcc=12V,静态管压降为6V，当RL=∞时，输出电压最大值才能达到6V,有效值才能达到42V；而加了3KΩ负载电阻之后，集电极交流负载比原来小了一半，输出电压的最大值与有效值也比原来小一半，约21V 。
（2）选C。因为减小Rw，将使静态工作点升高，三极管的输入电阻减小且β增大，所以放大倍数增大。
（3）选B。画出直流及交流负载线就能看到，交流负载线与横坐标交点距饱和区近，将会出现底部失真。
（4）选B。减小Rc是消除饱和失真的办法。而减小Rw 只会增大Icq，使饱和失真更严重；减小Vcc也是使饱和失真更严重。
简单说基极是输入，发射极和集电极都可以作为输出，要看做什么用。三极管在应用中，可组成共E、共C、共B接法三种放大电路。输入、输出端如下：共E接法：B进C出。共C接法：B进E出。共B接法：E进C出。
三极管：
半导体三极管(Bipolar JunctionTransistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
扩展资料：
这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升。
但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
参考资料来源：百度百科-三极管
在三极管的
集电极
与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成
电压放大
为什么接了个电阻就可以将电流放大转换成电压放大
说下原理
可以吗
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在基本的
放大电路
中，我们通常看到集电极与集电极电阻中间，
分接
了一个
耦合电容
，且它的值一般都有取得比较大，因它与地构成交流的输出端;基极耦合电容基极电阻基B到射E最后到地构成输入
一电流的放大
三极管在某个电路里,如果有一个小的信号流入电路,它的路
线为\\\从基极耦合电容
到基极电阻到基B到射E,最后到地
注入的信号电流改变了三极管内部电子的运动,即由BE的电流变化,引起CE的电流变化,电路空载时,CE的
电压变化
是较小的当然,我现在不去理CE的变化怎么样,反正三极管的内部电子运动发生了变化,这是肯定的那么输入的信号电流,引起了电路电源的电流经过集电极电阻到C到E,再到电路电源的负端,即C到地端的电流有了一定的流动,那么,我把这理解为
基极电流
的改变引起了集电极电流的改变,也把它理解作电流的放大
二电流放大转换成电压放大
输入电流引起了集电极电流的变化,我们看到在集电极上端接了一个
阻值
不是很大的电阻,这个电阻在这里起了重要作用----有了集电极电流在串联路线的流动,当它经过集电级电阻时,在这个电阻上肯定要产生一定的压降,比如电源电压为12伏时,假如在电阻两端产生了5伏电压,那么就是12-5=7伏
这个电路在
没有信号
时,假如输出为12伏电压,在有信号时,输出7伏电压,那么我们可以认为这个放大电路工作在7伏与12伏状态下我们可
不可以这样
考虑呢--小的
输入信号
电流的
有与无
,最终成为了
输出信号
的电压变化了我是这样理解的:小的输入信号它的电流很微弱,电压也很微弱,但经过三极管的放大作用,输入信号的电压由很小变为了7伏,它变强了
还有,共发射极电路,
输入电阻
越大越好,输出越
小越
好
有点不明白
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我认为,只要是放大电路,都是输入电阻越大越好,输出越小越好
我是这样理解的:如有某个三极管放大电路,它的输入电阻为101千欧(100千欧的基极电阻+1千欧的BE间电阻),它消耗
信号源
功率
P=UU(不去理它信号电压为多少)/R=UU/101千欧(单位:mW)
当然R越大,值越小,消耗的信号源信号也就小了,且整个电路的消耗电能也就小了
输出越小越好--什么是
输出电阻
呢
比如在那个基本的三极管放大电路中,Rl(负载本身的电阻)+Rc(集电极电阻)就是电路的输出电阻了
Rl+Rc的值越大,在集电极电阻和负载上消耗电能越多,
那当然
不经济
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