如何实现正反馈是显而易见的，输出电压信号通过C3和Rb3同极性反馈至输入信号，即为正反馈，估计你不是不知道反馈通路，而是不理解这个正反馈的意义。
其实这个电路是个典型的通过正反馈提高输入阻抗的电路，适用于有高内阻的电压源型信号源，可以有效提高射极跟随器的跟随电压范围。关键在于如何理解提高输入阻抗上，这个可以先做定性的分析，如果没有C3，输入阻抗约为Rb3+Rb1//Rb2，通常射随器的输入阻抗远大于(Rb3+Rb1//Rb2)，工程上将其忽略，如果你是学生，再与之并联，再对比有了C3之后，输入信号在Rb3上流过的电流就只有三极管BE结压降Vbe/Rb3了，与原阻抗比较，这是个很小的电流的，也就是提升了输入阻抗。按这个思路做下定量的计算，应该可以很明显的对比出来。
（以上为交流等效）
如图，这是当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电，即电感开始给电容充电， 电容两端电压升高，此时电压已经高于输入电压了。升压完毕。
说起来升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。如果电容量足够大，那么在输出端就可以在放电过程中保持一个持续的电流。如果这个通断的过程不断重复，就可以在电容两端得到高于输入电压的电压。
P 沟道高端栅极驱动器
直接式驱动器：适用于最大输入电压小于器件的栅- 源极击穿电压。
开放式收集器：方法简单，但是不适用于直接驱动高速电路中的MOSFET。
电平转换驱动器：适用于高速应用，能够与常见PWM 控制器无缝式工作。
N 沟道高端栅极驱动器
直接式驱动器：MOSFET最简单的高端应用，由PWM 控制器或以地为基准的驱动器直接驱动，但它必须满足下面两个条件：
VCC<Vgs,max and Vdc<VCC-Vgs,miller
浮动电源栅极驱动器:独立电源的成本影响是很显著的；光耦合器相对昂贵，而且带宽有限，对噪声敏感。
变压器耦合式驱动器:在不确定的周期内充分控制栅极；但在某种程度上，限制了开关性能。但是，这是可以改善的，只是电路更复杂了。
电荷泵驱动器:对于开关应用，导通时间往往很长；由于电压倍增电路的效率低，可能需要更多低电压级泵。
自举式驱动器:简单，廉价，也有局限；例如，占空比和导通时间都受到刷新自举电容的限制。需要电平转换，以及带来的相关问题。
自举升压电路一般是采用电容藕合，将放大器自身的输出信号电压与电源电压叠加，使输出级的供电或驱动电位抬高，从而提高输出信号摆幅和电源利用率的电路结构。升压跟随信号，犹如信号抬高了自已，所以称自举升压。
由于IC内部线路不清楚。所以只能从外围说说。由于MOS栅极电压比源极电压要高几伏才能可靠导通。为了使电路充分利用电源以提高效率。所以需要让栅极电压高于漏极以使管子能完全导通。所以这里使说自举电路，C1的上方的电位会随输出端电压上升（C1充得的电压是Vcc)。所以C1上方的电位会高于Q1 源极约Vcc的电压
本人设计这过这种电路。用于驱动电源变换电路，采用这种方式后管子的工作温度降低，电路效率大幅提升。
就讲你给的电路吧图中U64输出Y脚是周期性方波信号,高电平是5V,低电平是0V,由D32、C710组成的是5V升到10V的自举电路,D32的1脚是5V,自举后,在D32的2脚（电容C722上电压）变成10V由D35、C715组成的是另一个自举电路,10V升到15V,D35的1脚也就是上一级自举电路的输出（D32的2脚）,自举后,在D35的2脚（电容C719上电压）变成15V以D32、C710组成的5V升到10V的自举电路为例,讲一下自举的原理:在U64输出Y脚为低电平的半周期,+5V电源通过D32给C710充电,使C710具有（右正左负）5V电压；当U64输出Y脚为高电平的另一半周期来到,Y=5V,电容C710电压不能突变,C710右端电位也升高5V,变成10V,同时给C722充电,使电容C722上电压经过多次反复充电最后保持10V,完成了由5V变10V的自举同样地,楼主可以自己分析下面另一个自举电路,由D35、C715组成,从10V自举升到15V（电容C719的电压,+15V_ALWP)补充：要形成自举,C710715左边必须是方波信号,或脉冲信号如果保持高电平或低电平不变是不可能形成C710715的循环冲放电的不是说U64的第4脚有没有电压,而是应该理解为这一点的电压必须是高低交替变化的噢,是的,必须用示波器看,万用表是无法分辨方波信号的
OTL功率放大电路中的自举电路，如下图所示，其中的电容C2就是自举电容，自举电路由C2、RC1、R组成。当输入信号Ui为负半周时，V2基极电压升高，并导通，输出端电压也升高，由C2的作用，b点电压被提升，避免了V2的饱和，属自举现象。
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