CMOS中的元件都是场效应管，属于电压驱动型的芯片，即只需要电压而不需要电流来传递信号，功耗自然低了。TTL的组成主要是二极管和三极管，而三极管是电流驱动型的元件，消耗的电流大，功耗自然大一些。
BiCMOS是指双极型CMOS（Binary
Polar
CMOS）是结合了CMOS和TTL的特点，常见的BiCMOS工艺的芯片就是555。BiCMOS结合了CMOS的低功耗和TTL的高速以及大功率的特点，在实际使用中是很多的。
因为被污染对人还是物都有一定危害影响。
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。
电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
P管。接地。
CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。
P阱CMOS则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。
扩展资料：
注意事项：
在铝栅工艺中,源内(In-Source)蒸发铝是比溅射铝淀积更好的工艺步骤。选择能使加固程度最优化的工艺步骤，可将硅栅CMOS工艺所作产品的加固水平提高一个数量级以上。
NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。
参考资料来源：百度百科-CMOS集成电路设计
参考资料来源：百度百科-阱区
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