我全部详细的给你讲解一下，220V经桥式整流电路整流后输出方向不变大小变化的脉动直流电在经过(R3限流保护)VD1到电容C1滤波得出稳定直流电，Vs是稳压二极管过压保护当电压超过6V击穿降压保持原来6V，VT1是个pnp管低电平有效，当没有人体红外辐射或没有检测到实时VT1基极为高电平在截止状态，当有人走过热释电传感器感应出人体红外辐射向VT1基极输入变化交流电，当交流电负时流向基极的电流就被短路或者拉低了基极电位刚好是低电平导通，实时电流经过VT1R4导通单向可控硅(导通后无法关闭只有关闭总电源有效) 灯泡E亮 交流电正时三极管VT1截止，不影响单向可控硅工作。
这种电路实用性不太好，最好用单片机控制。
VT1（Verocytometer）工艺段是指用于制造微型显示器件的一种工艺技术。它使用透射式光刻技术，可以在液晶面板上制造出非常小的开关元件，如矩阵控制器和线性电阻器等。
VT2（Electron-Trapping Processes II, ETP
II）工艺段是指用于制造薄膜晶体管（TFTs）的一种工艺技术。该工艺段包括多个步骤，其中最关键的是离子束注入（ion
injection）和退火（annealing）。这些步骤可以制造出高质量的超薄栅介质层，以及提高触摸屏、OLED或有机发光二极管等显示器件的稳定性和寿命。
VT3（Scanning Tunneling Microscopy (STM)）工艺段是指用于制造硅基芯片的一种工艺技术。该工艺段包括多个步骤，其中最关键的是标准化探测器和扫描激光器。通过对硅基芯片的不同区域进行逐点扫描，可以制造出各种电路和器件。
VT4（Thermal Processing of Silicon Integrated
Circuits)工艺段是指用于制造热传感器等微型传感器的一种工艺技术。该工艺段包括多个步骤，其中最关键的是退火和加热。通过对硅基芯片进行加热和冷却，可以制造出热敏电阻、压力传感器等微型传感器。
以下个人理解，仅供参考哈
VT1和VT2直接连在一起，组成达林顿管，为的是增大输入级的放大倍数，而后共同组成共射放大的输入级；
V3与RP2共同组成一个分压与均衡的使用，信号幅度大时VT4和VT5导通，信号幅度小时VT6和VT7导通。
VT6和VT7也是直接连在一起，组成一个增强型的复合管，在电路中形成共集放大（即跟随电路），以驱动低阻大负载。
注意：个人理解，仅仅供参考，有争议一起讨论讨论
这个电路是简单的可调稳压电源，图中两个三极管都是NPN型管子，VT1作为电压调整管，VT2作为误差放大管。电位器RP1中心抽头上的误差电压经VT2放大后，使VT1的C-E极间的电压发生变化，从而使输出电压趋于稳定。
AWD为全轮驱动的简称，说明车辆可保持全时全轮驱动，不管是4轮6轮还是8轮均有动力分配。还有4WD是四轮驱动，那种可以通过车辆差速锁切换四驱与前/后驱模式，非全时全驱。FWD意为前轮驱动，是通常家用车使用最多的驱动方式，集经济性与稳定性于一身的驱动方式。RWD就是后轮驱动喽，跑车很常见。
还有什么FF前置前驱、FR前置后驱、MR中置后驱之类的好多说法，慢慢来吧。
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