二次电子是什么，与光电子，俄歇电子有什么区别
原理基本上相同,都是院子的外层电子受到激发后,获得足够的动能,从而脱离金属表面的势垒,成为自由电子,并且不论入射的是电子还是光子,其能量都必须大于金属的逸出功.
它们之间一个很大的不同点是：光电发射,一般的情况下十个光子也就是能激发出一个电子而已,而二次电子发射,则有可能一个电子激发出2~10个电子,因此二次电子发射具有放大电流的功能,而光电发射则是把光子转化成了电子,但是这个转化效率,专业一点说叫做量子效率,一般会低于20%,这个效率取决于金属的材料以及入射光的波长等因素.
收集二次电子方法如下：
1、在SEM中，二次电子被二次电子检测器所收集。常用检测器由收集栅、闪烁体、光导管、光电倍增管和前置放大器所组成。闪烁体的表面喷镀铝层，并加上12kV左右的电压。
2、样品受激发产生二次电子后，通过收集栅的电子被该电压加速而入射闪烁体。
1、性质不同：二次电子像是以入射方向逸出样品的电子。背散射电子像是在扫描电子显微镜中，通过电子枪产生的电子，经过加速磁场、偏转磁场后，照射到待检测的样品表面，待检测样品会反射一部分的电子。
2、特点不同：在扫描电子显微镜的工作镜腔里的背散射电子探头就会检测到这些被反射的电子，进而在检测器上所成的像。二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a ，a大的面发射的二次电子多。
3、特征不同：二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征，像的衬度是形貌衬度，衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。电子照射到待测样品的过程中，样品能发射一部分电子，背散射电子探头就会检测到这些电子，从而产生相应的电信号。
扩展资料：
注意事项：
二次电子主要显示形貌衬度，背散射同时还可以表现成分衬度，但形貌衬度表现的不如二次电子，背向电子源的不能被接收，所以分辨能力稍差。
能量相同的电子束轰击样品形貌不同的区域，产生的二次电子的深度一样。但是二次电子产生后，最终要能逃出样品表面才能被接收到。设α 为入射电子束与试样表面法线的夹角，对光滑试样表面，二次电子的产额 δ∝1/cosα。α越大，入射电子越靠近试样表面层。
参考资料来源：百度百科-背散射电子像
参考资料来源：百度百科-二次电子像
