合肥长鑫19nm DRAM内存芯片产能增加


存储器产品占到了我国每年进口半导体芯片中的大头,其中DRAM内存芯片占比最高,有20%以上。

据最新报道,合肥长信正在逐步提到19nm DRAM芯片的产能,目标是月产量4万片。

9月201 9世界制造业大会上,合肥长信公司宣布总投资1500亿元的合肥长信存储芯片自主制造项目投产,将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4存储器。

长信存储董事长兼CEO朱一鸣介绍,投产的8Gb DDR4已经通过了多家国内外大客户的验证,今年年底正式交付。另一款面向移动终端的低功耗产品即将投产。

据悉,长信的DRAM技术主要来源于已破产的齐梦达,包括收集了后者1000多万份技术文档和2.8TB数据。

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