性能 50 倍于 7nm 芯片：美国复活 90nm 工艺
该研究机构7月14日报道，美国晶圆厂SkyWater近日宣布获得美国国防部下属机构DARPA的进一步资助，该机构将给予2700万美元用于推动90纳米战略抗辐射(RH90) FDSOI技术平台的开发。总投资计划高达1.7亿美元。
与TSMC、三星和英特尔等半导体公司相比，SkyWater不仅规模小，而且资历浅。2017年成立。fab主要来自赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，技术并不先进。主要生产130nm和90nm，部分先进芯片仅达到65nm水平。
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但是，他们受到了美国DARPA的青睐。成立不久，他们就开始参与DARPA的ERI电子复兴计划，该计划在5年内投资15亿美元，推动美国半导体产业的发展。在ERI计划中，SkyWater并没有追求技术更强、技术更贵的先进技术，而是用90nm工艺做3D SoC芯片，通过集成阻变RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可以达到7nm芯片的50倍。
这些技术还没有取得完全的突破。毕竟，这样的做法以前从未有过。一旦成功，可能是改变半导体行业规则的新技术。
