台积电首推2纳米制程技术，或将于2025年量产
台湾省《联合报》6月14日报道，TSMC于美国当地时间6月16日举办2022北美科技论坛，首次推出使用纳米芯片晶体管的下一代先进2nm (N2)制程技术，以及支持N3和N3E制程的独特TSMC FINFLEX技术。据推测，TSMC将成为全球首家提供2纳米制程代工服务的晶圆厂。
TSMC在北美技术论坛上透露了以下主要技术焦点:支持N3和N3E的TSMC FINFLEX技术。该技术平台除了涵盖TSMC将于今年下半年量产的3纳米(N3)技术外，还将与创新的TSMC FINFLEX架构相匹配。
据了解，TSMC FINFLEX技术是在开发3纳米的同时，在2纳米(N2)取得重大突破。该技术提供了多种标准元件选择:3-2鳍片结构支持超高性能，2-1鳍片结构支持最佳功耗效率和晶体管密度，2-2鳍片结构支持平衡两者的高效率。
TSMC表示，TSMC FINFLEX架构可以准确地帮助客户完成满足其需求的系统单芯片设计。每个功能模块采用优化的鳍片结构来支持所需的性能、功耗和面积，同时集成在同一芯片上。
TSMC强调，在同样的功耗下，2nm的速度提升10~15%，或者说在同样的速度下，功耗下降25~30%，开启了高效率的新时代。
纳米采用纳米芯片晶体管架构，效率和功耗效率提升一代，帮助台湾产品客户实现下一代产品的创新。除了移动计算的基础版本，2nm技术平台还涵盖了高性能版本和完整的小芯片集成解决方案，计划于2025年开始量产。
除了TSMC，三星和英特尔也在布局2纳米芯片。其中，三星芯片代工业务的高管在去年10月透露，该公司有望在2025年下半年使用其2纳米制造工艺量产芯片。英特尔今年4月透露，预计下一代英特尔18A工艺(相当于1.8 nm)将提前于2024年下半年投产。
