1.跳法:通过插入跳线，断开具有天线效应的天线，并将其布线到上层金属层；直到最后的金属层被蚀刻，所有被蚀刻的金属都连接到栅极。
2.虚拟晶体管:增加额外的栅极会降低电容比；PFET比NFET更敏感；反向天线效应的问题。
3.加入嵌入式保护二极管:在晶体管中用栅极连接反向偏置二极管(电路正常工作时二极管不会影响功能)。
4.在布局和布线之后，插入二极管:仅将二极管连接到受天线效应影响的金属层。一个二极管可以保护连接到同一输出端口的所有输入端口。
