Light Company今日宣布出货232层TLC NAND，领先业界最高层数。新的NAND闪存具有业界最高的密度，在单个NAND芯片封装中实现高达2TB的存储。与上一代产品相比，美光在增加容量的同时，每个芯片的写入速度提升了100%，读取性能提升了75%以上，这也标志着性能的飞跃。Micron已经将这种闪存装在未指定的零售关键SSD中，并作为NAND组件提供给其他制造商。
正如你在下面的幻灯片中看到的，存储密度的增加使Micron的整体封装比上一代闪存减少了28%，这对于像智能手机和MicroSD卡这样的小型设备来说非常方便。每个2TB的芯片封装比美国邮票小三倍，其尺寸是令人难以置信的11.5 x 13.5毫米。广美指出，你可以在一个2TB的芯片封装中存储340小时的4K视频。
广美的232层(232L)闪存比该公司的上一代176L闪存好得多，但在层数上也超过了竞争对手。但是，密度是更重要的指标。美丽的TLC闪存，亲切地命名为B58R，将1Tb的存储空打包到一个小芯片中。一个封装可以装16个芯片，一个芯片封装可以达到2TB。
闪存的密度相当于每平方毫米14.6Gb，Micron声称这比目前正在出货的竞争对手TLC闪存领先30%至100%(我们正在跟进以明确这一说法)。这意味着微米的每一个芯片应该约为69mm^2.和以前一样，美光在其阵列下使用CMOS(CuA)技术，现在是第六代，通过在数据存储阵列下堆叠CMOS来提高密度。美光还采用了双栈闪存设计，这意味着每个成品芯片由两个116层的芯片组成，它们在一个称为字符串堆叠的过程中粘合在一起。广美公司还指出，制造高纵横比孔的先进技术和材料的进步是增加密度的原因。
当Micron开始生产其QLC变种时，我们将看到更高的密度，但该公司尚未分享细节。
该公司还吹嘘说，由于其新的六平面架构，其性能有了令人印象深刻的提高——这是TLC NAND首次引入行业。平面是闪存芯片中可以独立响应I/O请求的区域，就像CPU中的内核可以并行完成操作一样。如果设计得当，更多的飞机意味着更多的性能。
美光从4个平面转移到6个平面，再加上其在ONFI 5.0接口上增加了50%的2.4GB/s，以提供更多的芯片带宽，这有助于美光声称其写入带宽比其前身176层NAND高100%，读取带宽高75%。当然，这并不意味着我们将看到固态硬盘的速度突然提高一倍——其他瓶颈仍然存在，如控制器和接口——但它确实为更快的设备铺平了道路，因为生态系统的其他部分正在赶上新闪存的速度。
Micron表示，由于内部路径上I/O“碰撞”的减少，额外的平面也带来了服务质量和读写延迟的改善，但该公司尚未共享读写延迟的指标。232L闪存现在支持低压NV-LPPDR4接口，比上一代接口每比特能耗降低30%。电灯公司声称，这一代的能源效率有所提高，但它没有分享确切的指标。有人告诉我们，将来我们会学到更多。
广美公司也没有分享耐力指数，但它预计其232L TLC通常与上一代闪存的耐力阈值相同。提醒一下，耐久性是通过编程/擦除(P/E)周期来评估的。从这个角度来看，美光上一代TLC通常在消费级固态硬盘1000到3000个P/E周期，企业级固态硬盘5000到10000个周期。当然，这受到所使用的纠错码(ECC)类型的影响，但是我们可以预计232L TLC的范围是相似的。
美光的232L TLC闪存已经作为NAND芯片和未指明的面向零售的关键SSD被运送给它的OEM客户。广美公司仍处于增产初期，但表示将在2022年全年增产。在不久的将来，我们将会看到这项技术的其他版本，比如QLC变种。
