科学家研发2D金属芯片：让储存速度提高100倍

科学家们正在努力开发下一代数据存储材料，以提高现有的存储速率。

根据英国《自然与物理》杂志周日发表的一项研究，美国一个联合研究小组使用层状碲化钨制作了一个二维金属芯片，厚度只有三个原子。它可以代替硅片存储数据，而且比硅片更密、更小、更快、更节能，而存储速率提高了100倍。

研究人员对碲化钨薄层结构施加小电流，使奇数层相对于偶数层稳定移位，排列奇数层和偶数层存储二进制数据。在写入数据后，他们通过一种叫做贝利曲率的量子特性读取数据，而不会扰乱排列。

与现有的硅基数据存储系统相比，新系统具有很大的优势——它可以在一个非常小的物理空房间内填充更多的数据，并且极其节能。此外，其偏移发生得如此之快，以至于数据写入速率可以比现有技术快100倍。

对超薄层进行异常小的调整将对其功效特性产生巨大影响，人们可以利用这些知识设计新的节能设备，以实现可持续发展和更智能的未来存储方法。

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