IGBT烧坏的根本原因是温度过高。温度过为高的原因：1电流过大2散热不好散热不好的原因：1散热片灰尘太多2进风量不够或温度过高3出风量不够4风道设计不合理5IGBT与散热片连接不紧密，比如导电膏涂抹不当电流过大的原因：1短路，负载过大，接地

一、主体不同1、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。2、三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。二、作用不同1、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

如何实现正反馈是显而易见的，输出电压信号通过C3和Rb3同极性反馈至输入信号，即为正反馈，估计你不是不知道反馈通路，而是不理解这个正反馈的意义。其实这个电路是个典型的通过正反馈提高输入阻抗的电路，适用于有高内阻的电压源型信号源，可以有效提高

1nm芯片不是极限。1nm就是摩尔极限，也就是说，硅基芯片的极限精度理论上只能达到1nm，但由于自然环境的限制，其实际精度永远不可能达到1nm。制程越小，功耗越小，在实现相同功能的情况下，发热小，电池可使用的时间更长。这就是芯片制程越来越小

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，是一种利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半

零电压开关（ZVS)零电流开关（ZCS)技术，或称软开关技术，小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。20世纪70年代谐振开关电源奠定了软开关技术的基础。英文全称是：Zero Voltage Switch。PWM开关电源按硬开关模式

1、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semicon

准备材料：场效应管、数字万用表。操作步骤：1、将万用表调到二极管测量档，以便完成对场效应管的测量。2、将万用表黑表笔接到场效应管D引脚（漏极），将万用表红表笔接到场效应管S引脚（源极），此时，万用表正常会有0.2~0.5的压降，万用表显

U盘是一种使用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品。U盘不同的种类，作用也不一样，U盘的种类和作用分别是：1、加密U盘：加密U盘是指对U盘内容有加解密保护功能的U盘。现在市面上的加密U盘主要有三类：A:假加密，仅仅是隐藏

栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(dra

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导