Intel2 年内 EUV 工艺或超越台积电、三星

9月19日，研究机构报告称，英特尔为赶上代工进程付出了巨大努力。CEO制定的路线图意味着他们只需两年时间就能实现EUV进程，赶上TSMC和三星。目前英特尔的量产工艺是Intel 7，从明年的第14代酷睿开始进入Intel 4工艺。这是英特尔的第一个EUV工艺，然后英特尔3工艺是在英特尔4的基础上改进的。

2024年上半年，英特尔将量产20A工艺，原定于2025年量产的18A工艺也将提前至2024年下半年。这两代工艺将抛弃FinFET晶体管工艺，首次进入Amy级工艺，采用英特尔两大黑科技，即RibbonFET和PowerVia。前者是英特尔版的GAA晶体管，后者是英特尔首创和独有的背供电技术。

按照英特尔的规划，这个路线图意味着他们将在2023-2024年的1-2年内实现三代EUV工艺的量产，技术水平足以超越TSMC重回第一。TSMC和三星早在2018-2019年就开始生产EUV工艺。华为的麒麟990是首款TSMC 7nm EUV工艺。到2024-2025年，这两个量产的EUV工艺至少需要5-6年，英特尔仅用1-2年就轻松超越。英特尔目前4年量产5代CPU技术的路线图，如果没有跳票，真的是英特尔4年的奇迹。