1.IGBT是一种绝缘栅双极晶体管，是由BJT双极晶体管和MOS绝缘栅场效应晶体管组成的复合型全控压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流高。MOSFET驱动功率低，开关速度快，但开关压降大，载流密度低。
2.IGBT结合了两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适合用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
