台媒:台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术

牛二层皮2022-09-25  20

【TechWeb】据台湾省媒体报道,TSMC在RD 2nm取得重大突破,成功找到切入GAA (gate-all-around)技术的路径。

媒体称,三星已经决定率先引入3nm GAA技术,并声称将在2030年超越TSMC,实现全球逻辑芯片代工的领先地位。army did军一刻也不敢放松,积极投入2nm RD,在技术上取得重大突破,成功找到切入GAA的路径。

主管的高级副总经理罗也为此举行了庆功宴,感谢工程师的奉献。

TSMC的3nm工艺预计明年上半年在柯南十八厂P4工厂投入试产,2022年量产。基于此,业界推断TSMC的2nm发射时间将在2023年至2024年之间。

TSMC在今年4月表示,FinFET技术仍将用于3nm。主要考虑的是,客户在导入5nm工艺后,可以导入相同设计的3nm工艺,可以持续为客户带来具有成本竞争力和良好性能的产品。

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