mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。当栅源电压差为0时，漏源之间不会形成电流前段（工作在截止区）。
结构特点：
MOS管的内部结构如下图所示其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
mos管通俗易懂的工作原理：
芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。
以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。当栅源电压差为0时，漏源之间不会形成电流前段（工作在截止区）。
N型MOS管四端器件
当栅源电压差小于阈值电压时（工作在亚阈值区），漏源之间有很小的电流，和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时，并且漏源电压较大时，漏源之间有较大电流，其与栅源电压成平方关系。
若漏源电压较小时，漏源之间有电流，可看成电阻。当然，以上漏端都是人为施加电压，在实际电路中，相同类型器件或者不同类型器件串联在一起时，各个器件根据基尔霍夫电流定律，形成平衡。
