硅管耐高温耐压。硅芯管柔韧性好，腾达硅芯管耐高温，HDPE硅芯管是一种内壁带有硅胶质固体润滑剂的新型复合管道，简称硅管。由三台塑料挤出机同步挤压复合，主要原材料为高密度聚乙烯，芯层为摩擦系数较低的固体润滑剂硅胶质。广泛运用于光电缆通信网络系统。
硅管的特点
硅管内壁的硅芯层是固体的，的润滑剂，内壁硅芯层的磨擦特性保持不变，缆线在管道内可反复抽取其内壁的硅芯层是被同步挤压进高密度聚乙烯管道壁内，且均匀地分布整个管道内壁。
内壁的硅芯层与高密度聚乙烯具有相同的物理和机械特性，不会剥落，脱离，与硅管同寿命，其内壁的硅芯层不与水反应，意外事故后可用水冲洗管道，硅芯管曲率半径小（为其外径的十倍）。敷管时遇到弯曲处和落差处，可随环境地形而定，无需作任何处理。
区分三极管是硅管还是锗管的两种方法：
1.让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。
2.看型号上标明的是硅管还是锗管。
三极管的工作原理如下：
半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
2.全是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
3.是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
硅二极管与锗二极管的区别主要如下：
在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。
2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同
3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快
4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下的ni比硅的ni高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下的少数硅浓度远低于少数铌的浓度，因此硅的反向饱和电流管非常小。
5.当正向电压很小时，通过二极管的电流非常小，只有在正向电压达到一定值Ur后，电流才会显着增加。电压Ur通常被称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。
6.由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，因此硅二极管的阈值电压大于锗二极管的阈值电压。通常，硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0.2V。
拓展资料：
二极管，指的是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
2.早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
3.在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
4.早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
5.由于半导体锗二极管在气液两相流中具有不同的传热能力，因而引起其温度发生变化，使二极管的正向输出电压也随之发生变化，利用二极管的这种特性制成低温液体液位计可达到精确测量和控制低温工质液而变化的目的。
参考资料：二极管-百度百科
