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dram存储器的中文含义是动态随机存取存储器。dram存储器是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0；它读写速度较慢，集成度高，多用于容量较大的主存储器。
随机存储器(RAM)分为静态随机存储器和动态随机存储器。静态随机存储器：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态随机存储器：读写速度较慢，集成度高，多用于容量较大的主存储器。
B、动态随机存取存储器。
内存是计算机运行的基础。当与CPU结合使用时，可以运行指令集（程序）和存储工作数据。随机存取存储器（RAM）是众所周知的存储器类型，因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。
动态随机存取存储器（DRAM）是一种特定类型的随机存取存储器，它允许以较低的成本获得更高的密度。笔记本电脑和台式机中的内存模块使用DRAM。
随机存取存储器是根据地址访问数据，而不是顺序的访问数据。
随机访问存储器，或称随机存取记忆体（RandomAccessMemory，简称RAM），是一种在计算机中用来暂时保存数据的元件。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程式之临时资料存储媒介。它可以令电脑的容量提升，不同随机存取记忆体也有不同的容量。
当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的储存设备中。所以叫随机存取存储器。
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。
由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。
因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
DRAM存储器的中文是动态随机存取存储器。
含义：为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。
若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。
扩展资料：
在半导体科技极为发达的中国台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。
基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。
DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。
而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。
参考资料来源：百度百科-DRAM
