欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：
（1）金属与半导体间有低的界能障碍。
（2）半导体有高浓度的杂质掺入。
前者可使界面电流中热激发部分增加，后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。
扩展资料：
半导体重掺杂时，它与金属的接触近似地有线性的和对称的电流一电压关系，并且有较小的接触电阻，因而是接近理想的欧姆接触。
制作欧姆接触最常用的方法是，用重掺杂的半导体与金属接触，例如金属-n+-n和金属-p+-P结构。由于有n+、p+层，金属的选择就比较自由，可以考虑工艺上以及使用要求上的问题。形成金属与半导体接触的方法有许多种，例如蒸发、溅射、电镀等等。
欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。
肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。
扩展资料：
肖特基接触到欧姆接触的转变：二维 (2D) InSe具有高达10^3 cm^2·V^-1·s^-1的电子迁移率，可以与黑磷相媲美，且能够在空气中稳定存在。在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触以实现载流子的注入。
然而，接触界面会形成有限的肖特基势垒，其降低了载流子的注入效率，增大了接触电阻，从而极大的削弱了器件性能。因此，通过调节接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触，对高性能半导体器件的设计，组装和制造至关重要。
参考资料来源：百度百科-欧姆接触
参考资料来源：百度百科-肖特基接触
