长信内存科技股份有限公司(CXMT)已经开始生产基于19nm工艺的计算机内存，公司至少做了两个10nm工艺的路线图，未来还计划生产各种类型的DRAM。
为了提高产量，长信仓储还计划再建两座晶圆厂。作为中国制造2025项目的一部分，预计将支持全球约一半的DRAM需求。
(标题来自AnandTech)
CXMT总部位于安徽省合肥市，目前拥有3，000多名员工和一个拥有65，000 ㎡洁净室的工厂。它的前身是合肥的内部Otron内存。自2016年成立以来，公司一直致力于多个项目。
目前长信存储的月产能在2万片左右，但随着公司订单的增加，产量会逐渐增加。预计到2020年底，其10nm制程技术的产能为12万片(12英寸)，与SK海力士在中国无锡的工厂相当。
CXMT表示，其77%的员工是从事RD相关工作的工程师。借助齐的知识产权授权，公司顺利完成前期积累。
CXMT正在使用其10G1技术(19 nm工艺)制造4 Gb和8 Gb DDR4内存芯片，旨在将其商业化，并在2020年第一季度投放市场。这项技术将用于2020年下半年制造的LPDDR4X内存。
根据路线图，CXMT还为DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5规划了10G3(17 nm工艺)产品。虽然仍然无法撼动行业内的老竞争对手，但公司非常重视创新工艺的研发和产能的扩大。
预计CXMT 10G5工艺将采用HKMG和空气隙位线技术，长期将采用柱状电容、通用栅晶体管和极紫外光刻(EUVL)工艺。
虽然该公司计划在2019年初开始生产DDR4内存，但新的路线图已经推迟了一年。最后，该公司计划再建两座DRAM晶圆厂。
