可控硅的导通电压



BT134晶闸管无基极，BT134是双向晶闸管半导体器件，广泛应用于交流调压、照明等场合。BT134是4A/600ⅴⅴ。

上图是BT134的应用电路

双向晶闸管可以看作是一对反向并联的普通晶闸管的集成，其工作原理与普通单向晶闸管相同。三端双向可控硅开关具有两个主电极T1和T2以及栅极g。栅极可以触发器件在主电极的两个方向上导电，因此三端双向可控硅开关在第一和第三象限具有对称的伏安特性。双向可控硅门加上正负触发脉冲可以触发灯管导通，所以有四种触发模式。三端双向可控硅的应用是三端双向可控硅的正常使用，需要定量掌握其主要参数，合理选择三端双向可控硅，并采取相应措施满足各参数的要求。

耐压等级的选择:通常将VDRM(关态重复峰值电压)和VR R M(反向重复峰值电压)中较小的一个值标注为器件的额定电压。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍，作为允许的操作过电压裕度。

电流的确定:由于双向晶闸管通常用于交流电路中，其额定电流值用有效值表示，而不是平均值。由于可控硅的过载能力小于一般的电磁器件，所以一般家用电器中使用的可控硅的电流值是实际工作电流值的2~3倍。同时，晶闸管在关态重复峰值电压VD R M和反向重复峰值电压V R R M下的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

通态(峰值)电压VT M的选择:它是晶闸管以规定的倍数额定电流开通时的瞬态峰值压降。为减少晶闸管的热损耗，应尽可能选择VT M小的晶闸管。

保持电流:IH是保持晶闸管导通所需的最小主电流，它与结温有关。结温越高，IH越小。

电压上升率电阻:dv/dt是指关断状态下电压的上升斜率，是防止误触发的关键参数。如果该值超过限值，晶闸管可能被误导。由于SCR的制造工艺，A2和g之间会有寄生电容。

对于负载小或电流持续时间短(小于1秒)的双向晶闸管，可以工作在free 空之间。但大多数情况下，需要安装在散热器或支架上进行散热。为了降低热阻，可控硅整流器和散热器应涂上导热硅脂。

赵启发2017.11.9