这是一个误解。其实生产28nm芯片和7nm芯片的光刻机可以是同一个光刻机，只是光刻机的使用方式变了。TSMC曾经是DUV掩膜版光刻机，用的是同样的浸没式ArF光源，生产了28 nm到7 nm的所有芯片。只是现在EUV光源的光刻机在生产7 nm芯片时效率更高，所以TSMC在很多工艺上已经改用EUV光刻机，但并不代表7 nm芯片的工艺不会使用浸没式ArF光源的DUV光刻机。
这样，这个问题就简化了。只要上海微电子攻克了28 nm的光刻机，理论上可以不计成本通过工艺改进生产7 nm芯片。理论上，这可以算是攻克7纳米的工艺。所以问题变成了在2025年征服28纳米掩模对准器的可能性。
真正的7纳米芯片的技术问题由代工厂负责，探索TSMC走过的技术路线，利用DUV光刻机的多次曝光工艺，采用浸没式ArF光源生产7纳米芯片。这不是我们今天讨论的关键。
很明显，2021年是指望不上了。因为上海微电子的28nm光刻机没有达到合格标准，需要在2022年继续努力。但即使这个光刻机在2022年达标通过，摆在上海微电子面前的还是一个严重的问题。这就是浸没式ArF光源的问题。现在这个样机的光源是日本进口的沉浸式ArF光源。那么在未来的量产中，这种光源能否稳定供应就是一大问题。国内光源提供商“易科宏远”已经生产出40w 4kHz ArF光源的样机，但主流的ArF浸没式光刻机需要60w 6kHz光源，所以目前国内光源还无法替代进口光源。
在这一点上，上海微电子的样机能否变成量产产品是非常不确定的，因为关键的分系统还在攻关中，研制分系统的时间节点也无法确定。
也就是说现在上海微电子的28纳米光刻机是J-20的方式。时间不等人。歼20不会等涡扇15发动机。首先会在上面使用进口的俄罗斯AL-31F发动机。现在上海微电子不就是先用日本光源吗？至于中国自己的光源，就等能研发出来再说吧。
在目前的国际环境下，如果歼20还想用俄罗斯的发动机，还是可以找到货源的。但是中国要得到稳定的浸没式ArF光源有多难？我想我们都明白。所以这种浸没式ArF光源的迫切性，甚至远远超过对涡扇15的需求，肯定是对的。
也就是说，即使2022年上海微电子攻克了这种28纳米光刻机技术，2025年前能否解决量产前的光源问题？我想没人知道。现在易科宏远的官网网站打不开，所以没人知道他们的进展如何。现在网上真的没有这个词了。
那么，上海能否在2025年前攻克7纳米光刻机，仅仅一个光源问题就足以说明问题。
