下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

扩展资料

SRAM可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。

存取周期为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短，运算速度愈快，但对存储元件及工艺的要求也愈高。

例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。

参考资料来源：百度百科-存取周期

参考资料来源：百度百科-SRAM

电子元件的存储周期：

电感、变压器、线圈、阻流圈、扼流圈，半永久性，无性能衰减。

聚酯电容、涤纶电容、CBB电容、瓷片电容、独石电容、云母电容，半永久性，无性能衰减。

电解电容，5到10年，有一定性能衰减，不一定已经失效。

电阻、IC等，半永久性，无性能衰减。

半导体器件（三极管、二极管等），半永久性，无性能衰减。

以上前提是无外观损坏、无管脚严重锈蚀。

周期：取决于"晶振频率"，固定。但是因为工艺的关系，每个单元之间会有一定范围内的异同，"超频"就是这个道理，说到底还是"工艺"；数据量：一次存取的最大二进制数据量肯定固定。因为引脚数目肯定是固定的。

参考百度百科"机器周期"：指令周期（Instruction Cycle）：取出并执行一条指令的时间。总线周期（BUS Cycle）：也就是一个访存储器或I/O端口操作所用的时间。时钟周期（Clock Cycle）：处理操作的最基本单位，晶振频率的倒数。指令周期、总线周期和时钟周期之间的关系：一个指令周期由若干个总线周期组成，而一个总线周期时间又包含有若干个时钟周期。一个总线周期包含一个（只有取址周期）或多个机器周期。

分散刷新时，把系统周期分成2部分，前半段用来读写，后半段刷新，各占用一个存储周期，这样，每刷新一行，需要2个存储周期。不考虑读写的话，单纯的对dram刷新一行的话应该是1个存储周期。我看的是清华的计算机组成原理习题与解析b版里面的题目都是刷新一行要一个存储周期。

以上就是关于下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM全部的内容，包括:下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM、最近在整理库存物料，有许多电子物料放置时间都比较长了，想知道电子元件的储存周期是多久、指令周期，机器周期，时钟周期与存储周期的关系等相关内容解答，如果想了解更多相关内容，可以关注我们，你们的支持是我们更新的动力！