肖特基（Schottky）二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）简称SBD。SBD不是运用P型半导体与N型半导体触摸形成PN结原理制造的，而是运用金属与半导体触摸形成的金属－半导体结原理制造的。因而，SBD也称为金属－半导体（触摸）二极管或外表势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
上图是在 电子元器材采购网 深铭易购买的肖特基二极管SS14 SMA(DO-214AC) 40V,1A,VF=055V 1A，肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器材。其反向康复时间极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅04V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优秀特性是快康复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多选用封装办法。
肖特基二极管分为有引线和外表安装（贴片式）两种封装办法，选用有引线式封装的肖特基二极管一般作为高频大电流整流二肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管极管、续流二极管或维护二极管运用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装办法。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出办法。
选用外表封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装办法，有A~19种管脚引出办法。
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器材。最明显的特点为反向康复时间极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅04V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管运用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的使用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状况时其实处于很接近截止状况，从而进步晶体管的开关速度。这种办法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中运用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的康复时间短。它也有一些缺陷：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。
作用仍是整流，其优势是正向压降低，反向康复时间快，所以整体损耗会比其他的二极管低许多。
B5819W为集电极电流1A 基极电压40V的贴片肖特基管，1N5819为参数相同的插件式肖特基管，两个管只是封装不同。简单来说便是一个是贴片的 一个是插接件式的。
SBD具有开关频率高和正向压降低一级长处，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其使用规模。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路功率开关器材的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～12kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有运用快速康复外延二极管（FRED）和超快速康复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向康复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等范畴用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，因为UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和分量添加，不符合小型化和轻浮化的发展趋势。因而，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。
SBD的主要长处包含两个方面：
1）因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正导游通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低02V）。
2）因为SBD是一种大都载流子导电器材，不存在少数载流子寿命和反向康复问题。SBD的反向康复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向康复时间。因为SBD的反向康复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频使用。
可是，因为SBD的反向势垒较薄，并且在其外表极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。因为SBD比PN结二极管更简单受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
以上便是肖特基二极管封装_肖特基二极管作用，期望对各位有协助
1肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。
2由于反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。
3能耐受高浪涌电流。
4以前的肖特基管反向耐压一般在200V以下，但现在最新技术可以做到高达1000V的产品，市场应用前景十分广阔。
5目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150%、175℃几种（结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效）。
分三种：
（1）B：Bridge 桥；Barrier：势垒。
（2）R：RecTIfier，整流器 “MBR”意为整流器件。
（3）SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
作用：
（1）肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路，作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用，肖特基二极管在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。那么武汉办公家具 肖特基二极管作用是什么呢？下面就是小编对于肖特基二极管具有介绍。
原理：
（2）肖特基二极管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正极，以N型半导体B为负极，然后利用二者接触面之间上形成的势垒一种具有整流特性制成的金属半导体器件。肖特基二极管由于N型半导体中存在大量电子，而贵金属中仅有少量自由电子，肖特基二极管中的电子便从浓度高的B向浓度低A中扩散。肖特基二极管金属A中没有空穴，不存在空穴自A向B扩散运动。随着肖特基二极管中电子不断从B扩散到A，B的表面电子浓度逐渐降低，表面电中性破坏，于是形成势垒。
优点：
（3）肖特基二极管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二极管的反向击穿电压比较低，一般不会高于60V，最高仅约为100V，以致于限制了肖特基二极管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二极管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～12kV之间的高速二极管、PFC升压用600V二极管等情况下时，只有使用快速恢复外延二极管和超快速恢复二极管。现在的肖特基二极管已取得了突破性的进展，150V和200V高压已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的肖特基二极管也研制成功。
作用：
（4）肖特基二极管又被称为肖特基势垒二极管（简称 SBD），是一种低功耗、超高速半导体器件。肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间极短，正向导通压降仅为04V左右。肖特基二极管多用作高频、大电流整流二极管、低压、续流二极管、保护二极管、小信号检波二极管、微波通信等电路中作整流二极管等处使用。肖特基二极管在通信电源、变频器等中比较常见。肖特基二极管在双极型晶体管的开关电路里面，通过在连接二极管来箝位。
肖特基二极管是以它的发明人的名字而命名的，又被称作是肖特基势垒二极管。它是一种功耗比较低、超高速的半导体器件。通常它多出现在通信电源以及变频器等地方，它能够在很短的时间内进行反向的恢复，并且能够很好的提高晶体管的开关速度。而且在很多实际的操作中可以发挥都很好的辅助作用。
(一)肖特基二极管的特点
1 肖特基二极管的高度要比PN结势垒的高度更低，同时它正向导通门限电压以及正向电压都要比PN结二极管低。
2 肖特基二极管是一种多数载流子导电的器件，而且它的电容的充电和放电时间和速度与同类的器件相比有所不同。同时因为肖特基二极管本身的电荷比较的少，所以在正真运行的过程中它的开关的速度是非常快的，而且它在运作过程中的消耗量也是非常小，很适用于那些高频的操作。
3 肖特基二极管具有反向势垒比较薄的特点，因此在运行的过程中容易对表面造成一定的伤害，所以它的反向击穿电压就比较低了。
4 肖特基二极管与其它相似的器件相比，比较容易受热击穿，所以它本身的反向漏电流是比较大的。
(二)肖特基二极管优缺点
1 肖特基二极管的优点：器件本身具有很高的开关频率，而且它的反向击穿电压比较的低。同时因为技术的不断改进，对新型材料的使用，使得肖特基二极管本身充满了生机以及很强的竞争力。
3 肖特基二极管的不足：在运行的过程中，肖特基二极管的反向偏压比较的低，同时它的反向漏电流却是比较大的，而且在实际的操作过程中它容易产生发热的现象，对器件的运作和效率都会造成一定的影响。
(三)肖特基二极管的封装
1 采用有引线式封装：采用这种方式封装的二极管多是作为保护二流管、整流二流管使用。
2 采用表面封装：一般这种封装方式的有单管型、双管型以及三管型等多种的形式。
肖特基二极管虽然有不足的地方，但是它总体上还是给人们带来了很多的福利。在我们生活和生产的很多地方都要使用到这种器件，随着技术的而不断改进以及对产品的不断开发，质量更好、工作效率更高的肖特基二极管被逐渐的发明、生产出来。
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肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管 肖特基二极管结构原理图（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅04V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的主要特点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低02V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。 但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
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