1、观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
2、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
3、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
4、观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。
扩展资料：
二极管的分类有：
1、检波二极管
检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型，所以其结电容较小，工作频率较高。一般都采用锗材料制成。就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
2、整流二极管
就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，因此结电容较大，一般为3kHZ以下。
3、限幅二极管
二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为07V，锗管为03V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。
参考资料来源：百度百科—二极管
二极管有正负极。
二极管的特性：
1、正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。
叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为05V，锗管约为01V。硅二极管的正向导通压降约为06~08V，锗二极管的正向导通压降约为02~03V。
2、反向性
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
（1）击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降07V，锗管正向管压降为03V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为20--22V，**发光二极管的压降为18—20V，绿色发光二极管的压降为30—32V，正常发光时的额定电流约为20mA。
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
（2）特性曲线
与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线（图）。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过06V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约07V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二极管，开启电压为02V，导通电压UD约为03V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
3、反向击穿
（1）齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
（2）雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
二极管的正负极区分方法如下：
一、普通二极管有色端标识一极为负极；发光二极管长脚为正，短脚为负。如果脚一样长，发光二极管里面的大点是负极，小的是正极。有的发光二极管带有一个小平面，靠近小平面的一根引线为负极。
二、万用表中：红笔接“+”，黑笔接“-”；在测发光二极管时，低阻挡测不出来，可用RX10K档测，两表笔接触二极管的两级。如果电阻较小，黑表笔所接的是正极，电阻较大，黑表笔所接的是负极。发光二极管，若与TTL组件相连使用时，一般需串接一个470R的降压电阻，以防器件的损坏。
三、
扩展资料：
1、晶体二极管由一个PN结，两条电极引线和管壳构成。在PN结的两侧用导线引出加以封装，就是晶体二极管。晶体二极管的字母符号为V。PN结的导通方向是从P型半导体到N型半导体，即P到N导通（P为正极，N为负极）。PN结正向导通，反向截至，具有单相导电的特性。
2、晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
1、方法一：对于普通二极管，可以看管体表面，有白线的一端为负极。
2、方法二：对于发光二极管，引脚长的为正极，短的为负极。
3、方法三：如果引脚被剪得一样长了，发光二极管管体内部金属极较小的是正极，大的片状的是负极。
4、方法四：如果眼睛近视看不清，也可打开万用表，将旋钮拨到通断档，将红黑表笔分别接在两个引脚。若有读数，则红表笔一端为正极；若读数为“1”，则黑表笔一端为正极。
以上就是二极管判断正负极方法，只要使用以上其中一种方法就可以判断二极管正负极了，希望能帮到大家。
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