LED芯片制造工艺流程

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试

1、 主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、 晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、 最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片（目前市场上统称方片）。

在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。

刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片（但是大圆片里也有好东西，如方片）。

1晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等)，其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

2晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒,一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品。

电路设计 这是芯片制造的初级阶段，也是一项很重要和复杂的工作，现在芯片功能越来越强大，得益于大规模集成电路的普及，要想让芯片发挥强劲的性能，首先就要把电路图设计好，后面才能有保障

沙子提纯制作硅锭 使用的是在常见不过的材料，保证了巨量的需求供应，通过相关的工艺将沙子提纯，然后经过一系列程序得到硅单质，最后制成纯度很高的硅锭（99999999999%）

切割成硅晶圆 硅圆是芯片生产的基板，通过机械的方法将硅锭切割成一片片很薄的硅圆，方便后面集成电路的刻蚀

将电路刻到硅晶圆上 具体的操作流程很复杂，总的来说就是硅晶圆上涂抹上一层感光材料，然后通过曝光的方式将电路图刻蚀到上面，然后冲洗，电镀，打磨等程序，就完成了电路在硅晶圆上的集成

切割硅晶圆 硅晶圆上可以理解为有很多个芯片，需要将他们分割下来，这就需要相应机械工艺，切割成成一块块芯片

封装 分割好的芯片需要进行粘贴焊接和封装的流程，简单点说就是让芯片有了一个外壳，能够得到更好的保护，到这里这些经过检验合格的芯片就可以被出售使用了

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