（1）依据化学反应方程式，3SiO2+6C+2N2
| 高温 |
| c6(CO) |
| c2(N2) |
故答案为：
| c6(CO) |
| c2(N2) |
（2）已知上述反应为放热反应，△H＜0，所以Q＜0，；
故答案为：＜；
（3）化学反应是气体体积增大的放热反应，增大压强平衡向气体体积减小的方向进行，反应逆向进行；
故答案为：逆；
（4）已知平衡时CO生成速率为v（CO）=18molL-1min-1，则N2的生成速率为v（N2）=
| 2 |
| 6 |
| 1 |
| 3 |
故答案为：6；
（1）陶瓷被氢氟酸腐蚀生成四氟化硅和氨气或氨气与氟化氢反应生成氟化铵，反应的化学方程式为：Si3N4+12HF=3SiF4↑+4NH3↑ 或 Si3N4+16HF=3SiF4↑+4NH4F，
故答案为：Si3N4+12HF=3SiF4↑+4NH3↑ 或 Si3N4+16HF=3SiF4↑+4NH4F；
（2）四氯化硅和氮气在氢气的气氛保护下，加强热发生反应，可得较高纯度的氮化硅以及氯化氢，方程式为：3SiCl4+2N2+6H2
| ||
故答案为：3SiCl4+2N2+6H2
| ||
（3）按照活泼金属氧化物．较活泼金属氧化物SiO2H2O的顺序，Na2[Al2Si3O10（H2O）2]写成氧化物的形式为Na2OAl2O33SiO22H2O，
故答案为：Na2OAl2O33SiO22H2O；
真密度：305-313 g/cm3 体积密度：29g/cm3 抗折强度：400-450MPa 显微硬度：13-15GPa 破裂表面能： 406J/m2 弹性模量：200-280GPa 热膨胀系数（20℃-1000℃）：24-32 10（-6）/℃ 泊松比（20℃）：2288 热扩散系数（300℃）：00195cm2/s
（1）sicl4的蒸气和nh3的混合物反应生成si3n4，其化学方程式为：3sicl4+4nh3═si3n4+12hcl；故答案为：3sicl4+4nh3═si3n4+12hcl；
（2）粉末状si3n4遇水能生成一种有刺激性气味、常用做制冷剂的气体是氨气和一种难溶性的酸是硅酸，其反应方程式为：si3n4+9h2o═3h2sio3+4nh3；粉末状si3n4与空气接触能产生n2和另外一种物质，根据原子守恒可知为二氧化硅，其反应方程式为si3n4+3o2═3sio2+2n2；
故答案为：si3n4+9h2o═3h2sio3+4nh3；si3n4+3o2═3sio2+2n2；
（3）因为在加压和加热条件下si3n4颗粒表面生成了sio2，与mgo一起形成致密的氧化物保护膜，使固体si3n4不再受h2o和o2的侵蚀；
故答案为：在加压和加热条件下si3n4颗粒表面生成了sio2，与mgo一起形成致密的氧化物保护膜．
1 绝大多数集成电路都是用半导体硅Si作为起始材料
2 SiO2有两个突出的用途。它的绝缘性可以作为保护膜使p-n结免受周围环境杂质的污染。此外，可以用作稳定的、高温掩模材料，能选择性阻挡施主或受主杂质进入不希望掺杂的硅片中。
3 对于绝缘隔离层，通常采用SiO2和Si3N4
4 掺氧的多晶硅薄膜也可用作相邻导电层间的隔离层
A 反应中N的化合价降低，所以N2是氧化剂，Si化合价没变化，所以不是氧化剂
B 氧化剂对应的是还原产物，所以B正确
C 氧化剂 N2 还原剂C 质量比 228:612=7:18
D 该反应转移电子数：N从0价到-3，降低3，一共4个，所以转移为12mol电子
综上 B
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