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BJT是双极结型晶体管（Bipolar
Junction
Transistor—BJT）的缩写，又常称为晶体管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。
它与三极管的区别就在于BJT是晶体管
BJT是双极型晶体管（三极管）。它引出的三个管脚，分别叫做基极（b）、发射（e）、集电极（c）。b和e之间有单向导通的特征，加反向电压时，不能导通；加正向电压到达一定值时，这两极之间的电阻会突然变小而导通。死区电压，就是指这两极加上正向电压，电压由0v伏逐渐升高，直到这两极出现导通时刻的电压（比如是硅管，这一电压值是06伏），即0伏到导通电压最低值的这一个电压范围，就是死区电压（比如硅管，死区电压就是0伏到06伏的这一电压值范围）。
关于BJT的结构特点说法错误的是（C）。
A 基区很薄且掺杂浓度很低
B 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D 集电区面积大于发射区面积
根据结构不同，bjt一般可分成两种类型：npn型和pnp型。npn型bjt结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图3所示。
半导体的三个区域分别称为发射区、基区和集电区；三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c；发射区与基区间的pn结称为发射结，基区与集电区间的pn结称为集电结。
bjt的结构特点有超高频性能，大电流驱动能力，有两种极性载流子，自由电子和空穴。电流驱动型器件。
发射极（e） 对应的杂质半导体区域为发射区 ，该区域掺杂浓度较高。基极（b） 对应的杂质半导体区域为基区 ，该区域宽度很薄，掺杂浓度很低。
集电极（c） 对应的杂质半导体区域为集电区 ，该区域面积大，掺杂浓度很低。发射结 ：发射区和基区的PN结。集电结 ：基区和集电区的PN结。
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