西数明年底量产闪存：层堆栈、接口速度翻倍

西数明年底量产BiCS6闪存：162层堆栈、接口速度翻倍

2021年，闪存将从96层逐步过渡到128层，再从170层过渡到200层。每个闪存制造商的方案是不同的。西部数据将在明年年底量产BiCS6代3D闪存，堆栈数量增加到162个，接口速度提高一倍。

在闪存市场，西部数据和东芝从事RD和生产。事实上，BiCS技术主要来自东芝。目前BiCS5是量产主力，2019年2月发布。堆栈层数112，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。

BiCS6闪存是下一代产品。堆栈层数最终确定为162层，而不是之前说的170+，核心容量也提升到1Tbit。此外，接口速度也将达到2.0Gbps，是上一代的两倍，但距离三星最新8代V-NAND闪存的2.4Gbps还是有点远。

按照西部数据的计划，BiCS6闪存将从明年年初开始生产，但真正量产要到2022年底，目前的BiCS5闪存至少要过渡一年。