我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世，享年89岁
6月23日，中国科学院半导体研究所发布讣告称，中国共产党优秀党员、中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、著名半导体材料科学家、中国早期半导体硅的奠基人梁先生，因病于2022年6月23日17时在京逝世，享年89岁。半导体研究所和半导体材料科学领域对失去这样一个领先学科感到遗憾。梁的家人对失去这样一位亲人深感悲痛。弟子啊，我为失去这样一位好老师而深感哀痛。
梁院士，1933年9月18日出生于湖北武汉。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年就读于前苏联科学院莫斯科巴伊科夫冶金研究所，获副教授。同年，在中国科学院半导体研究所工作。60多年来，为我国半导体材料领域的学科建设、技术创新、产业振兴和人才培养做出了重要贡献。梁院士先后获得国家科委科技成果及新产品二等奖，国家科技进步三等奖，中国科学院重大成果及科技进步一等奖，二等奖4次，上海市科技进步二等奖等20余次。1997年当选中国工程院院士。
梁院士在半导体材料科学领域辛勤工作，硕果累累，取得了一系列重要科研成果。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年，制备了用于室温激光器的GaAs液相外延材料。1979年，我们成功研制出无位错、无涡旋、低微缺陷、低碳、氧含量可控的大规模集成电路用高质量硅单晶。20世纪80年代，掺氮中子嬗变硅单晶问世，解决了硅片的完整性和均匀性问题。90年代初，我们研究了MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性质和超晶格结构控制等方面，将中国超晶格量子阱材料提升到实用化水平。主持了“七五”、“八五”硅外延生长重点研究，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长及设备研究。他还在太阳能电池用多晶硅的研究和产业化方面发挥了积极作用。
