三星3纳米芯片

IT之家6月30日消息，三星电子有限公司周四宣布，已在其韩国华城工厂开始量产3nm半导体芯片，是全球首家量产3nm芯片的公司。与前几代芯片使用FinFET不同，三星使用GAA(Gate All Around)晶体管架构，大大提高了功效。

三星在一份声明中表示，与传统的5nm芯片相比，新开发的第一代3nm工艺可以降低45%的功耗，提高23%的性能，减少16%的面积。

三星没有透露其最新代工技术的客户身份。分析师表示，三星本身和中国虚拟货币矿机芯片设计公司上海盘思半导体预计将成为首批客户之一。

IT之家了解到，TSMC是世界上最先进的芯片代工制造商，控制着全球芯片代工生产市场的54%。苹果和高通等没有自己半导体工厂的公司有自己的客户。

根据数据提供商TrendForce的数据，三星以16.3%的市场份额排名第二。去年，该公司宣布了一项171万亿韩元(约合人民币8840.7亿元)的投资计划，以在2030年前超越TSMC成为世界顶级逻辑芯片制造商。

“我们将继续在有竞争力的技术开发方面积极创新，”三星OEM业务负责人Siyoung Choi表示。

三星联席首席执行官Kyung Kye-hyun今年早些时候表示，其OEM业务将在中国寻找新客户，因为从汽车制造商到家电制造商的公司都渴望确保产能，以解决全球芯片短缺问题，它预计中国市场将实现高增长。

虽然三星是第一家生产3纳米芯片的公司，但TSMC正计划在2025年实现2纳米芯片的大规模生产。

分析师表示，三星是内存芯片的市场领导者，但其更多元化的OEM业务已被TSMC超越，难以与之竞争。

根据未来资产证券的数据，2017年至2023年三星资本支出的复合年增长率(CAGR)预计为7.9%，TSMC预计为30.4%。

分析师表示，在过去一年左右的时间里，三星与行业领导者竞争的努力也受到了旧芯片产量低于预期的阻碍。该公司在3月份表示，其业务状况已显示出逐步改善。