中国现在的光刻机最新的技术是多少纳米

2016年底，华中科技大学国家光电实验室首次在光刻胶上完成了线宽9nm、双线间距低至约50nm的超分辨率光刻。未来将该工程应用于光刻机，可以突破国外专利壁垒，直接达到EUV加工水平。

2014年10月，瑞典皇家诺贝尔奖委员会决定将诺贝尔化学奖授予三位突破光学衍射极限、发明超分辨率光学显微镜的科学家，以表彰他们在超分辨率光学成像方面的杰出贡献。其中，斯蒂芬·黑尔教授发明的STED超分辨技术采用两种激光器，一种激发激光束激发显微镜物镜下的荧光物质产生荧光，另一种中心光强为零的抑制激光束淬灭激发激光器产生的荧光。两束光的中心重合在一起，使得只有纳米环猝灭激光器中心的荧光分子才能正常发光，通过扫描可以获得超越衍射极限的光学成像。

循着这一思路，华中科技大学国家光电实验室甘宗松教授在国外攻读博士期间，利用类似方法在光刻制造技术上取得进展，成功突破光学衍射极限，首次在国际上实现了单线宽9nm、双线间距低至约50nm的创纪录超分辨率光刻。该技术未来在光刻机上的工程应用，可以突破光学衍射极限对投影电路尺寸的限制，实现超分辨率光刻，有望使国产ic光刻机摆脱盲目采用更短波长光源的技术路线。

利用超分辨率方法突破光学衍射的限制，将光聚集到更小的尺寸，可以给IC光刻带来两方面的好处:一方面可以达到更高的分辨率，不再需要使用更短波长的光源，大大降低了光刻机系统的成本；另一方面，可见光可以用于光刻，可以穿透普通材料，对工作环境要求不高，摆脱了EUV光源需要真空环境和光刻能量不足的羁绊。

相比于主流光刻机动辄上千万美元，EUV光刻机动辄上亿美元，超分辨率光刻的硬件只需要一个飞秒激光器和一个普通的连续波激光器，成本只是主流光刻机的几分之一。该系统的工作条件比紫外光刻温和得多，不需要真实空的环境，也不需要特殊的发光和折射元件。与一般的光刻系统相比，该系统只引入第二束光，系统光路的设计相对较小。在光刻机上的工程化应用相对容易，有望让国产光刻机在高端领域赶超并有所突破。