超导界面能来源

超导界面能来源,第1张

超导界面能来源可以有多种,其中一些主要来源包括:

1 材料的电子结构导致的能带差异

通常情况下,超导材料的两侧是不同的材料,两侧材料会形成一个势阱,使得材料内的电子在左右两侧形成一些不同的能带结构,这种能带结构的来源就是材料内部的势阱。

2 材料过渡层的厚度和结晶度

超导界面层的厚度以及结晶度等因素也会影响其界面能的大小,厚度较薄和结晶度较高的材料会使得能带边界更加清晰明显,导致界面能更小。

3 晶格匹配度

如果两侧的材料晶格匹配度高,那么就会形成一个比较平滑的界面,这样界面能就会减小。

4 界面原子缺陷或者杂质

杂质或原子缺陷等都会在界面处形成一个能量势阱,从而增加界面能。在制备超导材料时需要尽量避免这种情况。

也就是说Eslab可以通过直接计算所建立的界面模型得到而Ebulk是通过分别计算组成界面模型的两种晶体的体相能量,再将其加和得到是吗?如果是这样的话,由于建立界面模型时是先将两种晶体的某个晶面切下来,再将切下的晶面放到一起形成界面,所以每个切面模型是不稳定的结构,在计算能量时不能收敛,这又该怎么办?

它们是研究物质相变和界面行为时常用的两个参数。

ΔG = Aγ/2 - VΔG,ΔG是临界形核功,A是固液界面面积,γ是固液界面自由能,V是相变的体积变化,ΔG是晶体与溶液的化学势差。

当固液界面自由能增大或固液界面面积减小时,临界形核功也会相应地增大。换句话说,界面能越大,临界形核功越大。这个关系在物理化学和材料科学中是非常重要的,因为它对相变的热力学和动力学过程有重要影响,同时也与材料的制备和性能有密切关系。

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