RDIMM和DIMM能否通用能不能点亮，E3的服务器CPU，不是X79 X58的REGECC

ECC REG内存一般来说都是服务器用，

和一般内存相比除了接口不一定相同之外

内存颗粒也有区别

REG ECC会比普通的多出两三个闪存芯片（校验闪存），

普通的主板不能使用这种内存

dimm2这个词是用于存储方面的一个用语，我们可以来看看它的意思是什么下面是我给大家整理的dimm2是什么意思，供大家参阅!

dimm2是什么意思

我用鲁大师检测内存 显示DIMM2 三星DDR3 1067 2G 这是什么意思啊

是不是我的电脑可以插两根内存条 现在的内存条是插在2上 是不是这个意思啊

答案：

现在的内存条是插在2上

说的不错，你的内存是插在第2条槽上，有第2当然有第1，当然还有可能有第3第4，不一定只有2个槽，还可能有4个。

上面的信息是 内存的厂商 类型 频率 容量。

SO-DIMM介绍

为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin;Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。DDR3 SO-DIMM接口为204pin;DDR4 SO-DIMM接口为260pin。

FB-DIMM介绍

因为一般的内存主要是采用传统的64位并行设计，即北桥芯片的内存控制器与内存模块之间均通过64位的并行总线来数据交换，但此类并行总线设计有一个最大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为一般的DIMM采用一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构。

在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。这也是一般基于此类并行体系的内存如DDR频率低下的原因。

Small Outline Dual Inline Memory Module(缩写SODIMM):小外形双列直插式内存模块。

DIMM简介

Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为33V(使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外)，适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V(使用EDORAM或FBRAM内存芯片)，二者不能混合使用。

对比比较

DIMM与SIMM比较

DIMM(Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块)与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。

服务器使用的DIMM

主要有三种：带寄存器的、不带寄存器的与低负载。这些类别定义了由内存模块施加的电力负载。

Registered DIMM(RDIMM)是最常见的内存模块类型。RDIMM使用寄存器，从电力上将内存模块从剩余主板中隔离出来。积极的一方面是，只需更少的电力负载支持，系统能够填充更多RDIMM，支撑内存容量。不好的是缓冲组件增加了对内存转换的延迟，稍微降低了性能并增加了能耗需求。

Unregistered DIMM(UDIMM)是与RIMM一样的内存设备，无需缓冲。该内存模块只有少许延迟与能源消耗，但为主板呈现的是更大的电力负载。UDIMM限制了每个通道能够使用的多少DIMM。拥有UDIMM内存的服务器无法支持与使用RIMM一样的内存容量。UDIMM通常为那些需要适度内存数量与中等延迟的服务器而准备的。

低负载DIMM(LRDIMM)不使用比较复杂的寄存器，而是使用简单缓冲。缓冲降低了在下层主板上的电力负载，但对能源与内存性能几乎无影响。不似RDIMM与LRDIMM让服务器制造商在每个内存通道上放更多模块。因此，LRDIMM设计能包含大型卷系统内存，而不产生高的延迟费用。

两个RDIMMS无法成为一个LRDIMM：服务器无法在一个通道中混合模块类型，例如，两个RDIMM与一个LRDIMM。通常，服务器也无法在通道之间混合不同DIMM。选择一个DIMM类型，能交付最佳容量与性能即可。

一般来说，使用服务器能够支持的最大的DIMM。这通常可以为系统潜在整合(或故障恢复)提供最佳价值与更多的内存。管理员能节省成本，并能使用更小模块填充DIMM插槽，但这样可能无法为未来升级预留足够内存，还可能使得高级可用性功能，如内存保留与镜像更加麻烦。

对于虚拟与整合服务器来说，安装更多内存貌似是最简单的答案，但更多的内存失败的风险更大，还会破坏服务器的工作负载。

逐个给你解释，

pc3，这就是ddr3内存

l，这是低电压ddr3，电压135V；

8500，说明频率是1066；

r，register，说明这是rdimm内存；

ecc 支持ecc功能；

简单说，这是带ecc校验功能的ddr3L rdimm内存，我们普通的1156,1155,1150接口的cpu都不能用，需要1366 2011这种支持rdimm的cpu才可以支持。

这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。

如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢下面我就为大家介绍一下吧，欢迎大家参考和学习。

DDR4内存的改进：

1DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状

2DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz

3DDR4内存容量提升明显，可达128GB

4DDR4功耗明显降低，电压达到12V、甚至更低

很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到085mm， 笔记本 电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从06毫米缩减到了05毫米。

第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。

频率和带宽提升巨大

DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是512GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。

Bank Group架构又是怎样的情况具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。

如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。

因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

容量剧增 最高可达128GB

3DS(3-Dimensional Stack，三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。

3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠;另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。

所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

更低功耗 更低电压

更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至12V

首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似)、DBI(Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作)等新技术。

这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的 方法 是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的15V降低至DDR4的12V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。

人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。

支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光

威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压12，产品编号AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。

不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。

这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。

至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。

2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工

威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。

美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。

新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。

目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。

美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。

窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存

DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区178毫米(07英寸)。

DDR4 DIMM内存的标准高度为3125毫米，稍稍高于DDR3 3035毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有183-187毫米(072-0738英寸)。

ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。

Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压12V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。

Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。

DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒

这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。

和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。

三星目前已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。

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