美国反对：海力士无锡工厂引进光刻机受阻

美国反对：SK海力士无锡工厂引进EUV光刻机受阻

近日，路透社报道韩国存储芯片制造商SK海力士在江苏无锡引进EUV光刻机的计划可能会因为美国反对将EUV光刻机等先进设备引入中国大陆而搁浅。

这个问题之前在SK海力士内部已经引起了相当大的关注，以至于CEO李熙熙在7月份访问华盛顿时向美国官员提出了相关的担忧，但短期内阻力显然不小。

李熙熙在11月22日的一次活动中表示，第四代DRAM芯片(基于EUV)已于7月开始在韩生产，同样的技术在中国工厂应用还有很长的路要走。他会在与有关方面合作的同时，明智地处理此事。

此前，SK海力士宣布将在未来5年内花费约43亿美元，从ASML持续购买EUV光刻机。

其韩国当地工厂已引入EUV光刻技术，并于去年7月成功开始量产基于EUV的10nm第四代DRAM芯片；计划引入无锡工厂的EUV光刻机也将用于生产10nm DRAM芯片。

据悉SK海力士在无锡工厂生产的DRAM存储芯片约占其产量的一半，占全球总产量的15%。

因此设备升级受阻或将对市场产生重大影响，这也将使SK海力士在与三星、美光的竞争中处于劣势。